PROBLEMAS RESUELTOS
DE FÍSICA
ejercicios de física de semiconductores

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Problemas de física de semiconductores

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Ejercicios de física de semiconductores

Se fabrica un dispositivo MOS de canal n y modo de enriquecimiento con los siguientes parámetros:

    \(Z = 100\,\mu m \:;\: L = 10 \mu m \: ;\: x_o = 0,1 \mu m \:;\: V_{th} = -1 V \: ;\:\mu_{ns}= 450 cm^2 V^{-1}s^{-1} \)
Hallar \( I_{Dsat} \quad y\quad g_{m(sat)} \) cuando el transistor opere con \( V_G = V_D = + 5 V\) , teniendo conectado a tierra el sustrato y el surtidor o fuente.

Respuesta al ejercicio 89

La corriente de saturación viene dada por:
    \( \displaystyle I_{D,sat} = \frac{Z\mu_n·C_o}{2·L}(V_G - V_{th})^2 \)
Y tenemos:
    \( \displaystyle C_o = \frac{\epsilon_s}{x_o} = 3,54·10^{-8}\;F/cm^2 \)
Por lo que resultará:
    \( \displaystyle I_{D,sat} = \frac{1}{2}\times 4,5\times 3,54\times 10^{-5}\times 4^2 = 1,274·10^{-3}\;A \)
La transconductancia en saturación viene dada por:
    \( \displaystyle \begin{array}{l}
    g_{m(sat)} = \left.\frac{\partial I_D}{\partial V_G} \right|_{V_D=V_{m(sat)}} = \\
     \\
    = \frac{Z\mu_n·C_o}{L}·V_{D,sat}= \frac{2·I_{D,sat}}{V_{D,sat}} = 0,637\:mA/V
    \end{array} \)


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Página publicada por: José Antonio Hervás