PROBLEMAS RESUELTOS
DE FÍSICA
ejercicios de física de semiconductores

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Problemas de física de semiconductores

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Ejercicios de física de semiconductores

Se considera un transistor MOS de canal p con:
    \( \begin{array}{l}
    Z/L = 5 \:;\: C_o = 3,45·10^{-8} F/cm^2 \: ;\: \mu_p
    = 600\; cm^2 V^{-1} s^{-1} \\
     \\
    V_D = 5 V \:;\: V_G - V_{th}
    = 3,0 V
    \end{array} \)
Calcular \( g_m \quad y\quad g_{m(sat)} \).


Respuesta al ejercicio 90

Al ser un transistor de canal p, para que haya saturación se ha de cumplir:
    \(V_D < (V_G - V_{th}) \)
Y este no es nuestro caso. Por lo tanto, \( g_m \quad y\quad g_{m(sat)} \) vendrán dadas respectivamente por:
    \( \displaystyle g_m = \frac{Z·\mu_pC_o}{L}·V_D \quad ; \quad g_{m(sat)} = \frac{Z·\mu_pC_o}{L}(V_G - V_{th})\)
Y teniendo en cuenta los valores numéricos:
    \( g_m = 1,725·10^{-4}\:A·V^{-1} \quad ; \quad g_{m(sat)} = 103,5 \mu A·V^{-1} \)

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Página publicada por: José Antonio Hervás