PROBLEMAS RESUELTOS
DE FÍSICA
ejercicios de física de semiconductores

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Problemas de física de semiconductores

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Ejercicios de física de semiconductores

Un transistor MOS de canal n y modo de deflexión tiene aplicada una tensión entre drenador y tierra de +5V, dados los parámetros:
    \( \begin{array}{l}
    Z = 200\,\mu m \:;\: L = 10 \mu m \: ;\: x_o = 0,1 \mu m \:;\: V_{th} = -1 V ; \\
     \\
    V_G = 0\: ;\: \varepsilon_o = 8,85·10^{-14} F/cm^2 \: ;\: \mu_n = 600 cm^2 V^{-1} s^{-1}
    \end{array} \)
Calcular la corriente de drenador.

Respuesta al ejercicio 88

En las condiciones del problema:
    \( \displaystyle V_D = + 5 V > |V_G - V_{th}| = 1\:V \)
Por lo tanto el dispositivo está en saturación y la corriente de drenador vendrá dada por:
    \( \displaystyle I_{D,sat} = \frac{Z\mu_n·C_o}{2·L}·V^2_{D,sat}\; ; con\; V_{D,sat} = V_G - V_{th} = + 1\:V \)
En consecuencia, tendremos:
    \( \displaystyle I_{D,sat} = 4,248·10^{-4}\times \frac{1}{2}(+1)^2 = 0,212\:mA \)

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Página publicada por: José Antonio Hervás