PROBLEMAS RESUELTOS
DE FÍSICA
ejercicios de física de semiconductores

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Problemas de física de semiconductores

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Ejercicios de física de semiconductores

Suponiendo que el mecanismo de avalancha en un diodo de silicio comienza cuando el campo eléctrico alcanza los \( 250\;kV·cm^{-1} \) , calcular la correspondiente tensión de ruptura. Datos:

\( N_a = 10^{19}cm^{-3} \: ,\: N_d = 10^{14}cm^{-3} \: ,\: W_n = 90 \mu m , W_p = 10 \mu m \)

Respuesta al ejercicio 69

Para obtener la tensión de rotura aplicamos la ecuación:
    \( \displaystyle V_r = \frac{\epsilon_s|\varepsilon_\max|^2(N_a+N_d)}{2q·N_a·N_d} \)
Teniendo en cuenta los valores numéricos:
    \( \displaystyle V_r = \frac{1,06·10^{12}F·cm^{-1}(2,5·10^5\:V·cm^{-1})^2}{2\times 1,6·10^{-19}C}·\frac{1}{10^{14}} = 2,07·10^3\; V \)

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Página publicada por: José Antonio Hervás