Cuestiones de física electrónica

¿Cómo se forma una puerta de Si policristalino?. Comparar los dispositivos nMOS con puerta de Al y con puerta de polisilicio o de Si. Indicar el tipo de aplicaciones en qué es aconsejable cada uno de ellos.

Respuesta del ejemplo 65

Una puerta de Si policristalino se forma mediante un proceso de epitaxia y consiste en depositar una delgada película de Si sobre el óxido de la puerta. En este caso no se consigue un monocristal sino que resulta una película de pequeños cristales conectados entre sí (de ahí el nombre de Si policristalino)
En el caso de dispositivos nMOS compuerta de Al, la longitud del canal se determina por enmascaramiento por lo que no se consigue siempre cumplir las especificaciones deseadas. De todos modos, este proceso resulta barato en comparación con otros y puede ser empleado cuando no sean necesarias altas densidades de integración o grandes velocidades de conmutación.
En el caso de dispositivos nMOS con puerta de Si policristalino, la longitud del canal no depende de una máscara sino que este queda alto alineado debajo de la puerta y ello eleva la calidad del diseño. Esta ventaja permite el uso de la tecnología del Si policristalino en aplicaciones de gran sofisticación cómo pueden ser microprocesadores, microcomputadores y grandes memorias nMOS.