PROBLEMAS RESUELTOS
DE
FÍSICA

ELECTRÓNICA FISICA

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problemas resueltos

Enunciado 61

¿Porque es la estructura pnp lateral la más simple de los transistores pnp usados en los circuitos integrados?
Enunciado 62

Explicar las diferencias que existen entre los circuitos integrales lineales y los circuitos digitales.
Enunciado 63

Señalar algunas ventajas así como algunas limitaciones del transistor MOS integrado frente a los bipolares clásicos.
Enunciado 64

¿Porque el proceso de implantación mejora las prestaciones del transistor MOS?
Enunciado 65

¿Cómo se forma una puerta de Si policristalino?. Comparar los dispositivos nMOS con puerta de Al y con puerta de polisilicio o de Si. Indicar el tipo de aplicaciones en qué es aconsejable cada uno de ellos.
Enunciado 66

Comparar las lógicas digitales pMOS,nMOS y CMOS, teniendo en cuenta sus posibilidades de aplicación en los niveles de integración de los circuitos MSI (Medium Scale Integration),LSI (Large Scale Integration) y VLSI (Very Large Scale Integration)
Enunciado 67

Sí dos transistores bipolares pnp difieren solo en que la anchura de la base de 1 es el 90% de la base del otro, demostrar que para mantener la misma corriente fluyendo por los dos transistores, dentro de una polarización discreta razonable, es necesario tener una diferencia de potencial de 0,0027 V entre base y emisor.
Sugerencia: Suponer que la anchura efectiva de la base de los transistores es mucho menor que la longitud de difusión de la base; que no hay recombinación de portadores en la base, que la IE se debe a I1 (corriente inyectada de E a B) y a I2 ( corriente inyectada de B a E); que el dopaje de la base es mucho menor que el de emisor y que la unión EB se comporta como un diodo corto.

Enunciado 68

Un transistor npn ideal de área transversal constante A = 10-6 m2 tiene una distribución de portadores minoritarios en exceso en la base de 1020 m-3 (inyección que se mantiene en la unión EB). Si la anchura en la base activa WB = 2·10-5 m y la movilidad de los electrones es \(\mu_n = m^2V^{-1}s^{-1}\) a la temperatura ambiente, se pide:
Dibujar la distribución aproximada de los electrones en la región neutra de base.
Estimar la corriente de colector.
Enunciado 69

Explicar porque un dopaje alto del emisor hace que IE esté constituida principalmente por electrones.
Enunciado 70

En un transistor pnp con:
    \( I_{pE} = 1\:mA\;;\; I_{nE} = 0,01\:mA\;;\;I_{pC} = 0,98\:mA\; e\; I_{nC} = 0,001\:mA \)
Calcular:
    a) el factor de transporte de base.

    b) la eficiencia de emisor o factor de inyección.

    c) la corriente de base y la ganancia en corriente en base común y en emisor común.

    d) los valores de \( I_{CBO}\quad e\quad I_{CEO} \)

    e) los valores de \( \beta\quad e\quad I_B\:,\: si\; I_{pC} = 0,99\:mA \)

    f) los valores de \(\beta\quad e\quad I_B\:,\: si\; I_{pC} = 0,99\:mA\;e\; I_{nE}= 0,005\:mA \)

    Cómo varían \( \beta\quad e\quad I_B\) cuándo aumenta \( I_{nE} \)
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Página publicada por: José Antonio Hervás