Enunciado
31
Desarrollar el concepto de "Indice de Miller"
Enunciado 32
Explicar que es la "Estructura cúbica centrada"
Enunciado 33
Describir una "Red reciproca"
Enunciado 34
¿Que son las "Zonas de Brillouin"?
Enunciado 35
Calcúlese el número de estados electrónicos
por átomo contenidos en una esfera inscrita en las zonas
de Brillouin de las estructuras cúbica centrada en las
caras y cubica centrada en el interior (en el cuerpo).
Enunciado 36
Hagase una gráfica y por escrito la distinción entre
metal, semiconductor y aislante, en función de la estructura
de bandas de energía de los solidos.
Enunciado 37
Sea un diodo p-n de germanio de unión abrupta, con \(N_D
= 10^3N_A\) y con N
A crrespondiente a 1 átomo
aceptador por 10
8 de germanio. Calcular la altura E
o
de la barrera de energía potencial en eV., y a la temperatura
ambiente.
Repetir la parte anterior para una unión p-n de silicio.
Enunciado 38
a)Las resistividades de los dos lados de un diodo de germanio
de unión abrupta son \(2 \Omega \times cm \) (lado p) y\(1
\Omega \times cm \)(lado n). Calcular la altura E
o
de la barrera de de energía potencial .
Repetir la parte a) para una unión p-n de silicio.
Enunciado 39
Partiendo de la ecuación
\(\displaystyle I_{pn}(x) = \frac{A·q·D_p·p'_n(0)}{L_p}\times
e^{-x/L} \)
que nos da la corriente en el lado n, y de la expresión
correspondiente para , demostrar que la relación de la
corriente de huecos a la de electrones que cruzan una unión
p-n es igual a :
\(\displaystyle\frac{I_{pn}(0)}{I_{np}(0)} = \frac{\sigma_p·L_n}{\sigma_p·L_p}\)
donde \(\sigma_p \; y \; \sigma_n \) son las conductividades respectivas
de las regiones p y n. Observese que esta relación depende
del cociente de las conductividades. Por ejemplo, si se impurifica
mucho más el lado p que el lado n, la corriente de huecos
que cruza la unión será mucho mayor que la de electrones.
Enunciado 40
Partiendo de la ecuación:
\(\displaystyle I_o = \frac{A·q·D_p·p_{no}}{L_p}
+ \frac{A·q·D_n·n_{po}}{L_n}\)
para la corriente inversa de saturación, demostrar que
esta puede escribir:
\(\displaystyle I_o = A·V_T \times\frac{b·\sigma_i^2}{(1+b)^2}\left(\frac{1}{L_p\sigma_n}
+ \frac{1}{L_n\sigma_p}\right)\)
Siendo \(\sigma_n(\sigma_p) \) conductividad del lado n(resp.
p). \(\sigma_i \) , conductividad del material intrinseco. \(b
= \mu_n/\mu_p . \)