PROBLEMAS RESUELTOS DE CIENCIAS FISICAS
problemas resueltos de física de semiconductores

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Problemas de física de semiconductores

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Ejercicios de física de semiconductores

Respuesta del ejemplo 34

Aunque en la pra´ctica cualquier tipo de smiconductor extrínseco contiene distintas clases de impurezas, para definir \(\sigma_n \; y \; \sigma_p\) se hace la aproximación de que éste no está compensdo. De ese modo, en el caso de un semiconductor extrínseco de tipo N, con una concentración de impurezas de átomos dadores \(N_D\), para el que sabemos que los portadores mayoritarios son electrones, la condición de neutralidad eléctrica del cristal, cuando estas están ionizadas, se escribirá:

    \(n =p + N_D \)

pero teniendo en cuenta que los pòrtadores mayoritarios son electrones aprtados por los átomos de impurezas, podemos hacer \(p << N_D\) y nos queda:

    \(n \simeq N_D \)

donde p se puede obtener a partir de la expresión:

    \(\displaystyle np = n_i^2 \Rightarrow p = \frac{n_i^2}{n} = \frac{n_i^2}{N_D} \)

En estas condiciones, si definimos \(\sigma_n\) por:

    \(\sigma_n = qn\mu_n \)

resulta fácil obtener:

    \(\sigma_n = qN_D\mu_n \)

y análogamente, por un proceso deductivo semejante, llegaríamos a:

    \(\sigma_p = qp\mu_p = qN_A\mu_p \)

dende \(N_A\) es la concentración de átomos aceptores en un semiconductor extríneco del tipo P.

Problemas de física de semiconductores - problemas resueltos de cristalografía


tema escrito por: José Antonio Hervás