PROBLEMAS RESUELTOS
DE FÍSICA
ejercicios resueltos de física de semiconductores

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Problemas de física de semiconductores

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Ejercicios de física de semiconductores

En una muestra de Si de tipo p a la temperatura ambiente, la densidad de aceptores es una función de x tal como:
    \(\displaystyle N_a(x) = N·\exp\left(- \frac{x}{x_o}\right) \)
donde \(x_o = 0,5 m\) . Suponiendo que \(p(x) = N_a(x)\) calcular el campo eléctrico interno y las densidades de corriente de arrastre y de difusión de los huecos. Datos \(D_p = 10^{-3} m^2·s^{-1}\; ;\; \mu_p = 0,04 cm^2·V^{-1}·s^{-1}\)

Respuesta del ejemplo 24

La corriente total de huecos viene dada por :
    \( J_p = q\mu_pp\varepsilon_i - qD_p\nabla p = 0 \)
y a partir de ahí tenemos:
    \( \displaystyle \varepsilon_i = \frac{D_p\nabla p}{\mu_pp} = \frac{10^{-3}m^2s^{-1}}{0,510^{-6} m \times 0,04 m^2V^{-1}s^{-1}}= 500 V·cm^{-1} \)
Las corrientes de arrastre y de difusión de los huecos serán ambos iguales por la corriente total nula, y se tendrá
    \( \displaystyle \begin{array}{l} J_{dp}= J_{ap} = q\mu_pp\varepsilon_i =\\ \\ = 1,1610^{-19}C\times 0,04 m^2V^{-1}s^{-1}500 Vcm^{-1}\times N_a =\\ \\ = 3,2\times 10^{-16}N_a (A/cm^2) \end{array} \)
Problemas de física de semiconductores - problemas resueltos de cristalografía


tema escrito por: José Antonio Hervás