PROBLEMAS RESUELTOS
DE FÍSICA
ejercicios resueltos de semiconductores - electrónica física , cristalografía

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Problemas de física de semiconductores

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Ejercicios de física electrónica

Utilizando el resultado del problema anterior, calcular la corriente inversa de saturación de un diodo p-n de germanio a temperatura ambiente, 300 ºK. La sección transversal es 4 mm2 y :
    \(\begin{array}{l} \sigma_p = 1,0(\Omega -cm)^{-1}\; ; \;\sigma_n = 1,0(\Omega -cm)^{-1} \\ \\ L_n = L_p = 0,15 cm \end{array} \)
Tómense las demás constantes físicas necesarias, de las tablas sobre ellas.

Respuesta del ejemplo 41

Considerando las tablas correspondientes, obtenemos los valores :

    \(\displaystyle b = \frac{\mu_n}{\mu_p} = \frac{38}{18}\; ; \; \sigma_i = \frac{1}{45}(\Omega-cm)^{-1}\; ; \; \frac{\bar{k}·T}{q}= \frac{5,143}{1,602}\times 10^{-2}J/C \)
Según eso, el valor de la corriente inversa de saturación será
    \(\displaystyle \begin{array}{l}
    I_o = 4\times \frac{5,143}{1,602}\times 10^{-4}\times \frac{38/18}{45^2(1 + 38/18)^2} \left(\frac{1}{0,150}+ \frac{1}{0,015}\right) = \\
    \\
    = 8,17\times 10^{-6}A
    \end{array}\)
y el problema queda resuelto.
Problemas de física de semiconductores - problemas resueltos de cristalografía


tema escrito por: José Antonio Hervás