Cuestiones de electrónica aplicada

Desarrollo del ejemplo 2

La ecuación (*) escrita en la cuestión anterior, viene representada gráficamente en la figura (a)para el Ge y Si.

La característica real de un diodo típico difiere de la curva exponencial debido a diversos efectos entre los que pueden considerarse la resistencia óhmica de los contactos y del material semiconductor para el caso de una polarización directa y la fuga superficial en el caso de la polarización inversa. Con grandes tensiones inversas tiene lugar la ruptura en avalancha.

Para señales intensas se considera que el diodo se comporta de acuerdo con las aproximaciones lineales de la figura b.
Tales aproximaciones se llaman curvas de asimilación lineal, y a menudo dan resultados suficientemente precisos desde un punto de vista práctico.

Las curvas de la figura (b) muestran un "codo" en 0,2 V para el Se y en 0,7 para el Si. Se ve, entonces, que el punto de cambio de pendiente no es el origen y se le denomina tensión umbral o de corte. El diodo se comporta como un circuito abierto si U es menor gue la tensión de corte y tiene una resistencia incremental constante r = dU/dl si U es mayor.

La resistencia r tiene un significado físico incluso para este modelo de gran señal, mientras que la resistencia estática R = U/I no es constante y, por tanto, poco útil.