PROBLEMAS RESUELTOS
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FÍSICA

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ELECTRÓNICA FISICA

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problemas resueltos

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Enunciado 31

Desarrollar el concepto de "Indice de Miller"
Enunciado 32

Explicar que es la "Estructura cúbica centrada"
Enunciado 33

Describir una "Red reciproca"
Enunciado 34

¿Que son las "Zonas de Brillouin"?
Enunciado 35

Calcúlese el número de estados electrónicos por átomo contenidos en una esfera inscrita en las zonas de Brillouin de las estructuras cúbica centrada en las caras y cubica centrada en el interior (en el cuerpo).
Enunciado 36

Hagese una gráfica y por escrito la distinción entre metal, semiconductor y aislante, en función de la estructura de bandas de energía de los solidos.
Enunciado 37

Sea un diodo p-n de germanio de unión abrupta, con \(N_D = 10^3N_A\) y con NA crrespondiente a 1 átomo aceptador por 108 de germanio. Calcular la altura Eo de la barrera de energía potencial en eV., y a la temperatura ambiente.
Repetir la parte anterior para una unión p-n de silicio.
Enunciado 38

a)Las resistividades de los dos lados de un diodo de germanio de unión abrupta son \(2 \Omega \times cm \) (lado p) y\(1 \Omega \times cm \)(lado n). Calcular la altura Eo de la barrera de de energía potencial .

Repetir la parte a) para una unión p-n de silicio.
Enunciado 39

Partiendo de la ecuación
    \(\displaystyle I_{pn}(x) = \frac{A·q·D_p·p'_n(0)}{L_p}\times e^{-x/L} \)
que nos da la corriente en el lado n, y de la expresión correspondiente para , demostrar que la relación de la corriente de huecos a la de electrones que cruzan una unión p-n es igual a :
    \(\displaystyle\frac{I_{pn}(0)}{I_{np}(0)} = \frac{\sigma_p·L_n}{\sigma_p·L_p}\)
donde \(\sigma_p \; y \; \sigma_n \) son las conductividades respectivas de las regiones p y n. Observese que esta relación depende del cociente de las conductividades. Por ejemplo, si se impurifica mucho más el lado p que el lado n, la corriente de huecos que cruza la unión será mucho mayor que la de electrones. Enunciado 40

Partiendo de la ecuación:
    \(\displaystyle I_o = \frac{A·q·D_p·p_{no}}{L_p} + \frac{A·q·D_n·n_{po}}{L_n}\)
para la corriente inversa de saturación, demostrar que esta puede escribir:
    \(\displaystyle I_o = A·V_T \times\frac{b·\sigma_i^2}{(1+b)^2}\left(\frac{1}{L_p\sigma_n} + \frac{1}{L_n\sigma_p}\right)\)
Siendo \(\sigma_n(\sigma_p) \) conductividad del lado n(resp. p). \(\sigma_i \) , conductividad del material intrinseco. \(b = \mu_n/\mu_p . \)
PROBLEMAS RESUELTOS DE FÍSICA ELECTRÓNICA Y CRISTALOGRAFÍA
grupo primero ~ : ~ grupo segundo ~ : ~ grupo tercero

grupo cuarto ~ : ~ grupo quinto
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tema escrito por: José Antonio Hervás